Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche.pdf

Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche PDF

Inhaltsangabe:Problemstellung: In den letzten Jahren wurden die polaren Oberflächen von III-V-Halbleitern in zunehmendem Maße mit Molekularstrahlepitaxie (MBE=molecular beam epitaxy) hergestellt. Die so erhaltenen, sauberen, Oberflächen müssen beim Transport durch die Atmosphäre vor Verunreinigungen und Oxidation geschützt werden. Dazu wurde von Kowalczyk et al. [1] die Technik entwickelt, die Proben vor dem Ausbau aus der MBE-Kammer mit einem dicken Film elementaren As zu passivieren. Für die weitere Anwendung oder Untersuchung der Probe kann die As-Schutzschicht dann durch Heizen der Probe entfernt werden. Während des Abheizprozesses können sich verschiedene Phasen der Oberfläche ausbilden, die sich in ihrer Struktur, ihrer chemischen Zusammensetzung und ihren elektronischen Eigenschaften unterscheiden. Will man an der Probe dann oberflächensensitive Experimente, beispielsweise Photoelektronenholographie [2], durchführen oder die technologisch bedeutsame Ausbildung von Schottky-Barrieren nach Metall-Deposition (3, 4] untersuchen, so ist aus den genannten Gründen eine genaue Kenntnis des Abheizprozesses wünschenswert. Die Untersuchung des Abheizprozesses und der dabei erhaltenen Oberflächen hat sich in der Vergangenheit in erster Linie auf die GaAs(100)-Oberfläche und ihre unterschiedlichen Rekonstruktionen beschränkt [31-(8). In dieser Arbeit wird das Abheizen einer As-Schutzschicht von einer GaAs(111)-Oberfläche untersucht. Die Charakterisierung der durch das Abheizen erhaltenen Oberflächen erfolgt dabei mittels winkelaufgelöster Photoemission. Auch wird versucht, die Möglichkeiten der winkelaufgelösten Photoemission in Verbindung mit Synchrotronstrahlung zur Bestimmung der Valenzbandstruktur zu nutzen. Im ersten Kapitel dieser Arbeit werden daher zunächst die Grundlagen der Photoemission sowie die Analyse der durch die Experimente erhaltenen Daten erläutert. Anschließend werden einige für das Verständnis der Arbeit wichtige Eigenschaften der GaAs(111)-Oberfläche behandelt. Im dritten Kapitel werden dann die experimentellen Aspekte und die Methode der durchgeführten Messungen dargestellt. Im darauffolgenden Kapitel wird versucht, die Volumen- und Oberflächenbandstruktur von GaAs(111) aus den Spektren in senkrechter und nicht-senkrechter Emission zu bestimmen. Die eigentliche Abheizstudie ist dann Gegenstand des fünften Kapitels, in dem die Charakterisierung der nach jeder Heizstufe erhaltenen Oberfläche, der Einfluß der As-Bedeckung auf die [...]

HERUNTERLADEN

ONLINE LESEN

DATEIGRÖSSE 4.99 MB
ISBN 9783838613222
AUTOR Klaus Winnerlein
DATEINAME Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberfläche.pdf
VERöFFENTLICHUNGSDATUM 02/05/2020

Wasser und Natriumchlorid auf einer Ag(111)-Oberfläche mit Hilfe eine Rastertunnelmikro- skops (STM) untersucht. ... 5 Wachstum und elektronische Struktur von NaCl auf Ag(111). 113 ... chen bei Umgebungsbedingungen bedeckt. ... Auf der Oberfläche adsorbierte Teilchen bilden ein zwei- dimensionales Gas, dessen. genschaften, vor allem die elektronische Struktur bestimmen. Man beachte, ... Die III-V-Wafer-Oberfläche wird mit einem Positivlack bedeckt. (1. Schritt). ... GaAs(111)-Wafer in der MOVPE. a Anorganische HSQ-Maske, lithographisch auf .

PC und MAC

Lesen Sie das eBook direkt nach dem Herunterladen über "Jetzt lesen" im Browser, oder mit der kostenlosen Lesesoftware Adobe Reader & Google Chrome.

Bonus

Versandkostenfrei für Bonuscardkunde

eBooks Online

Sofortiger Zugriff auf alle eBooks - per Download und Online-Lesen